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中芯*14nm量产提前,12nm研发已取得突破

中芯*14nm量产提前,12nm研发已取得突破

  • 分类:行业资讯
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  • 来源:
  • 发布时间:2019-02-15 06:52
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【概要描述】 近日,移动处理器大厂高通(Qualcomm)正式发布了新一代Snapdragon X55 5G基带芯片。相较于之前所发表的Snapdragon X50 5G基带芯片,X55 5G基带芯片除了支援端频段的通讯连接之外,还是一款达到7Gbps速度的基带芯片,较X50的5Gbps速度要高出了40%。         高通表示,新一代的Snapdragon X55 5G基带芯片采用7纳米的单晶片结构

中芯*14nm量产提前,12nm研发已取得突破

【概要描述】 近日,移动处理器大厂高通(Qualcomm)正式发布了新一代Snapdragon X55 5G基带芯片。相较于之前所发表的Snapdragon X50 5G基带芯片,X55 5G基带芯片除了支援端频段的通讯连接之外,还是一款达到7Gbps速度的基带芯片,较X50的5Gbps速度要高出了40%。

 

      高通表示,新一代的Snapdragon X55 5G基带芯片采用7纳米的单晶片结构

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       集微网消息,今日中芯*公布截到2018年12月31日止第四季度的业绩。该季度中芯*销售额达到7.876亿美元,毛利为1.341亿美元,毛利率17%。

 

       纵观2018年全年,中芯*收入同比增长8.3%,连续四年持续成长,业绩创下新高。2018年第四季收入同比持平,中国地区收入同比成长12%。

 

       展望2019年先位季度,中芯*预计全年核心业务收入成长目标与晶圆代工行业成长率相当,基于目前的可见度,一季度收入预计为全年相对低点,季度收入将下降16%~18%,毛利率介于20%到22%,机器及设备损益以及出售生活园区资产收益影响后,将介于2.5亿美元到2.55亿美元。

 

       中芯*联席优选执行官赵海军博士指出,面对2019年大环境许多的不确定,我们努力寻求成长机遇。稳中带进,积极开发客户,拓展成熟和特色工艺的产品组合和应用范围,发掘市场价值机会,为成长储备力量。

 

       值得欣喜的是,今年中芯*14nm量产进展顺利,先位代FinFET 14nm技术进入客户验证阶段,产品可靠度与良率已进一步提升。此前媒体已披露,中芯*将于今年上半年开始应用其自主开发的14纳米FinFET制造技术进行大规模生产,这比预期提前了几个季度,表明中芯*的生产显然比计划提前了。

 

       上一季度财报会议时梁孟松表示,今年下半年,中芯也将专注于开发Cowos以及FinFET,尤其FinFET已经上轨道并受到客户认证,将提供移动与无线客户,未来14nm将应用于AI、IoT和自驾车等领域,并导入新兴市场等区域。

 

       特别的,中芯*联席优选执行官梁孟松博士表示,12nm的工艺开发也取得突破。通过研发积极创新,优化产线,强化设计,争取潜在市场,对未来的机会深具信心。

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