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DRAM 10纳米竞争2016年即将开打

DRAM 10纳米竞争2016年即将开打

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  • 发布时间:2015-10-20 17:34
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DRAM 10纳米竞争2016年即将开打

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       三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)等DRAM主要制造公司,皆将在2016年开始量产18纳米(1x) DRAM,18纳米制程也是目前已知DRAM生产制程的较高阶技术。
 
  据Digital Times报导,日前业界消息指出,如果预定进度不变的话,三星和SK海力士预计将在2016年下半开始正式量产18纳米DRAM。众所周知目前DRAM微缩制程的极限是18纳米,在达成18纳米DRAM量产之后,三星和SK海力士将使用ASML正在研发的极紫外光(EUV)设备,到2020年再进一步将制程推进至10纳米以内等级。
 
  DRAM市场的第三名美光为了对抗三星电子和SK海力士,也提出了大规模的投资计划。美光为了要量产超高速DRAM,表示将在日本广岛工厂一年内投资约8.36亿美元,计划中广岛工厂将进行比目前20纳米生产力更高出20~30%的16纳米制程DRAM的量产,使得三星和SK海力士进入紧张状态。
 
  但是业界却对于美光16纳米制程抱持着怀疑的看法,首先为了突破目前20纳米制程的界限,需要改变DRAM生产过程中介电层(dielectric film)设计,也得改成使用比原本分子结构更细密的原子结构的物质,所以需要改变设计,但目前美光还没有这方面技术。
 
  另外为了进入16纳米制程,也需要每台喊价到8,700万美元的极紫外光(EUV)设备,以美光目前的8.36亿美元投资规模,恐怕是不太容易做到,而且ASML一年也只能制造出7~8台极紫外光设备而已
 
  三星电子目前计划将在2016年下半开始进入18纳米DRAM,从2016~2020年为止,顺序将以18纳米、15纳米、10纳米等为目标,逐渐微缩DRAM的线距。
 
  原本18纳米制程技术改良之后,利用全新方式的技术会更有利,可是如果极紫外光设备的商用化延迟,也可能会进入跟过去25纳米以后难突破进一步微缩,出现如同2012年类似的停滞期。
 
  SK海力士较近也在加速转换DRAM的微缩制程,从25纳米后将近2年没有进展的SK海力士,也在第3季成功地进入了20纳米制程,计划将在2016年上半开发出18纳米DRAM,快的话将从下半年开始进入量产。
 
  业界相关人士表示,三星电子在20纳米级的DRAM部分,虽然与竞争业者维持了较少一年以上的差距,但是10纳米级开始,预料又会是全新的竞争局面。
 
来源:中国电子报、电子信息产业网
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