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半导体制程微缩至28纳米 先进封装技术

半导体制程微缩至28纳米 先进封装技术

  • 分类:行业资讯
  • 作者:
  • 来源:EEWORLD
  • 发布时间:2011-08-11 17:34
  • 访问量:

【概要描述】

半导体制程微缩至28纳米 先进封装技术

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  • 分类:行业资讯
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  随着半导体制程微缩到28纳米,封测技术也跟着朝先进制程演进,日月光、矽品、京元电、力成、颀邦等一线大厂,皆加码布局3DIC及相对应的系统级封装(SiP)产能,包括矽穿孔(TSV)、铜柱凸块(CopperPillarBump)等。封测业者预估,较快2011年第4季应可接单量产。
  
  台积电28纳米制程已在2011年第2季正式量产,预计到第3季应可持续放量。联电在日前法说会曾指出,该公司已有相关40-28纳米的规划,预料28纳米的发展会比40-65奈米为快,28奈米制程在2012年可望与40纳米同步。
  
  半导体制程进入28纳米时代,封装技术也跟着同步演进,包括3DIC相对的SiP、TSV以及铜柱凸块,都是业者加码布局的重要。随着TSV加工技术进步,与加工成本下滑,预估采用TSV3DIC技术的半导体产品出货量市占比重,将从2009年的0.9%提高至2015年的14%。
  
  SEMI台湾暨东南亚区总裁曹世纶表示,3DIC是半导体封装的必然趋势,现在所有产业链中的厂商都在寻找更经济的解决方案和合作伙伴,希望尽早克服技术瓶颈,达成量产目标。
  
  3DIC将是后PC时代主流,力成、尔必达(Elpida)与联电将针对28纳米及以下制程,提!升3DIC整合技术,预计于第3季进入试产阶段,其他封测大厂包括日月光、矽品等,也积极部署3D堆叠封装技术,2012~2013年将可以见到*增温态势。
  
  日月光集团总经理暨研发长唐和明指出,由于使用矽基=(SiliconInterposer)的2.5DIC供应链已大致完备,2.5DIC的导入预期会帮助半导体技术顺利地由40奈米导入28纳米及以下。在电脑及智慧型手机等应用驱动下,预估至2013年2.5D与3DIC的商业化产品将有机会问世。
  
  艾克尔在日前的法说会上提及,该公司在第2季资本支出达9,700万美元,用于支应晶片尺寸覆晶封装(FCCSP)、堆叠式FCCSP(flipchipstackedCSP)、细线路铜柱凸块覆晶封装(finepitchcopperpillarflipchip)等新一代先进封装技术。该公司表示,在积极着墨下,上述封装技术的2011年上半营收比2010年同期倍增。
  
  台湾3大封测厂皆具备铜柱凸块相关技术能力,在铜打线制程先进的日月光铜柱凸块,已开始送样认证。根据客户产品蓝图规划,随着28纳米制程在2012年跃升主流,也将推升铜柱凸块需求大幅成长。力成已有相关机台到位,并与客户进行认证中,预计2011年第4季~2012年第1季即可量产。
  
  颀邦和京元电于2011年3月签订合作备忘录。着眼于电子产品轻薄短小为市场趋势,电源管理IC为加强散热以及增加电压,对于厚铜制程需求开始浮现,且厚铜制程与金凸块、锡铅凸块制程类似,机器设备?|性高,电源管理IC便成为颀邦及京元电共同合作布局的新领域。同时中小尺寸LCD驱动IC转向12吋厂生产,8吋金凸块产能开始闲置,朝向厚铜制程方向发展也可解决8吋金凸块产能过剩问题。
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