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芯片制程迈向28纳米 封装技术大战再起

芯片制程迈向28纳米 封装技术大战再起

  • 分类:行业资讯
  • 作者:
  • 来源:DigiTimes
  • 发布时间:2011-06-07 17:34
  • 访问量:

【概要描述】

芯片制程迈向28纳米 封装技术大战再起

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  • 分类:行业资讯
  • 作者:
  • 来源:DigiTimes
  • 发布时间:2011-06-07 17:34
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  随著芯片制程逐渐微缩到28纳米,在芯片密度更高及成本降低压力下,铜柱凸块(CopperPillarBump)技术正逐渐取代锡铅凸块,成为覆晶主流技术,封装技术变革大战再度开打。由于一线封装大厂包括艾克尔(Amkor)、日月光、星科金朋(STATSChipPAC)、矽品等皆具备铜柱凸块技术能力,业界预期2012年可望放量生产,并跃升技术主流。
  
  芯片制程逐渐自40纳米往28纳米微缩,芯片体积变小,对空间、密度要求更高,加上成本压力有增无减,促使芯片厂纷改采铜柱凸块技术,封测相关业者表示,主要通讯芯片大厂如德仪(TI)、高通(Qualcomm)、迈威尔(Marvell)、博通(Broadcom)、英飞凌(Infineon)纷跟进采用,目前主要封装大厂皆具备铜柱凸块技术能力,其中以艾克尔因与德仪合作OMAP4平台,进展脚步较快,其次为日月光、星科金朋和矽品。
  
  事实上,以英特尔(Intel)为首的IC芯片制造业,已开始在特定产品采用铜柱凸块覆晶技术,初期主要用在PC相关芯片,然近期通讯芯片产品采用铜柱凸块情况益趋增加,象是德仪基频芯片平台OMAP4便采用铜柱凸块技术。封测业者表示,由于智能型手机讲求短薄、功能多元及电力持久等特性,为预留较大电池空间,不仅需提高芯片密度,芯片厚度亦必须变薄,使得铜柱凸块成为较佳的覆晶植球技术。
  
  面对封装技术演变,日月光在铜打线制程脚步相对先进,但在铜柱凸块落后艾克尔,近期已开始送样认证,根据客户产品蓝图规画,随著28纳米制程在2012年跃升主流,将推升铜柱凸块需求大幅成长。
  
  对于以逻辑IC为主的封装厂,覆晶植球技术自锡铅凸块转为铜柱凸块,封装厂仍可沿用旧机台,只需更换电镀液即可,转换成本不高,但对于以金凸块为主的厂商,转换技术可能较不易,以颀邦为例,由于金价高涨,降低成本不易,其虽拥有铜柱凸块技术能力,但由于金凸块和铜柱凸块制程不同,必须投资新产线,以投资1万片12寸晶圆所需铜柱凸块制程产线而言,全线资本支出恐达新台币10亿~20亿元,所费不赀。
  
  在英特尔促使下,PC相关元件已率先采用铜柱凸块,估计自2010~2016年铜柱凸块市场复合成长率为19.68%(研究机构YoleDeveloppement资料),2012年铜柱凸块技术将取代锡铅凸块跃升技术主流,预期到2016年将有一半覆晶植球晶圆采用铜柱凸块技术。
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