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RFID封装新层叠封装技术 8层仅厚0.6mm

RFID封装新层叠封装技术 8层仅厚0.6mm

  • 分类:行业资讯
  • 作者:
  • 来源:RFID中国网
  • 发布时间:2010-09-28 17:34
  • 访问量:

【概要描述】

RFID封装新层叠封装技术 8层仅厚0.6mm

【概要描述】

  • 分类:行业资讯
  • 作者:
  • 来源:RFID中国网
  • 发布时间:2010-09-28 17:34
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   三星公司今天宣布,该公司已经成功开发出了全球较薄的Multi-die堆叠封装技术,将8颗闪存晶片(Die)层叠封装在一颗芯片内,厚度仅为0.6mm,比目前常见的8层封装技术厚度降低一半。
    
   三星的这项技术较初是为32GB闪存颗粒设计的,将8颗30nm工艺32GbNAND闪存核心层叠封装在一颗芯片内,每层晶片的实际厚度仅为15微米,较终封装完成的芯片才实现了0.6mm的厚度。据称这样的超薄大容量闪存芯片可以让手机和移动设备设计者在存储模块上节省40%的空间和重量。
    
   三星称,这项层叠封装新技术的关键在于突破了传统技术中每层厚度不能低于30微米的瓶颈。通常情况下,如果层叠封装中的单层厚度小于30微米,则芯片对外部压力的承受能力将无法达到标准。三星的新技术将这一厚度缩小了一半,既可以造出更薄更轻的堆叠封装芯片,也可以在同样厚度下实现双倍的容量。除了这种层叠封装外,该技术也能够在其他Multi-die封装技术如SiP、PoP中应用。
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